内存
内存
- 1: 海盗船32G ddr4 3600内存
- 1.1: 介绍
- 1.2: 华硕z690-p d4 + i7 13700k
- 1.3: q1hy
- 2: 金百达银爵 DDR4 3600 32G
- 2.1: 内存介绍
- 2.2: 华硕z690-p d4 + i7 13700k
- 2.3: q1hy超频设置
- 3: 阿斯加特32G ddr4 2666内存
- 3.1: 内存介绍
- 3.2: 华硕z690-p d4 + i7 13700kf
- 3.3: [归档]华硕 pro x299 ws + i7 7960x
- 4: 英睿达铂胜8G ddr4 3000内存
1 - 海盗船32G ddr4 3600内存
1.1 - 介绍
外观
正面:
反面:
标签:
内存颗粒
台风软件显示的内存颗粒是镁光:
另一条:
额外说明
一共从咸鱼陆陆续续买了8条这样的海盗船复仇者32g v3.44 版本的内存,用在 z690 + 13700k 上,32gx4 跑 ddr4 3800。
1.2 - 华硕z690-p d4 + i7 13700k
通用参数
以下参数为海盗船复仇者32G内存在 4000/4100/4200/4300 时通用的参数,后面都是在这个参数基础上进行小幅度修改。
tCL 18
tRCD 22
tRP 22
tRAS 42
CR 2N
tRRD_L 12
tRRD_S 9
tRFC 660
tRFC2 400
tRFC4 250
tREFI 65535
tWR 24
tRTP 12
tFAW 24
tWTR 5
tWTR_L 15
tWTR_S 6
tCCD_L 8
tCKE 12
tWL 20
aida64 内存测试结果:
32gx2 ddr4200 超频设置
套用上面的海盗船内存的参数,频率可以上到4200:
DRAM CAS# Latency [18]
DRAM RAS# to CAS# Delay [22]
DRAM RAS# PRE Time [22]
DRAM RAS# ACT Time [42]
DRAM Command Rate [2N]
DRAM RAS# to RAS# Delay L [12]
DRAM RAS# to RAS# Delay S [9]
DRAM REF Cycle Time [660]
DRAM REF Cycle Time 2 [400]
DRAM REF Cycle Time 4 [250]
DRAM Refresh Interval [65535]
DRAM WRITE Recovery Time [24]
DRAM READ to PRE Time [12]
DRAM FOUR ACT WIN Time [24]
DRAM WRITE to READ Delay [5]
DRAM WRITE to READ Delay L [15]
DRAM WRITE to READ Delay S [6]
DRAM CAS to CAS Delay L [8]
DRAM CKE Minimum Pulse Width [12]
DRAM Write Latency [20]
aida64 内存测试结果:
此时内存电压 1.40v,sa电压 1.20,vddq 电压 1.35v,测试通过。
备注:如果体质实在差可以考虑内存电压设置为 1.45v / sa电压1.32v / vddq电压1.38v。
32gx2 ddr4000 超频设置
如果只是跑 ddr4 4000 c18,内存电压可以降低为 1.35v,其他不变。
32gx4 ddr3800 超频设置
32g x 4 压力大增,跑不了ddr4 4200, 甚至4000/3900都不能,只能跑ddr4 3800, 参数同上。
此时内存电压 1.35v,sa电压 1.20,vddq 电压 1.35v,测试通过。
1.3 - q1hy
简单测试了一下,1.35v 跑 ddr4 4000 c18 没有问题。
参数就直接抄 z690 + 13700k 的那套就好了。
因为没打算这么用,8条海盗船复仇者32G内存后面都插到 z690 + 13700k 机器上去了,也就没有详细测试。
2 - 金百达银爵 DDR4 3600 32G
2.1 - 内存介绍
从京东自营处买了一对金百达银爵32G内存,频率3600 c18。
https://item.jd.com/10081657664778.html
介绍资料
- 内存超频作业 金百达DDR4新CJR颗粒 64G(2*32G)超频4000G1 低压低温可日常使用: 这个非常详尽
- 双面CJR 64G(32*2)4200G1 C18,附带小参和电压: 适合华硕主板抄作业
内存信息
内存颗粒信息
thaiphoon-burner 读取到的内存颗粒信息,第一条:
第二条:
2.2 - 华硕z690-p d4 + i7 13700k
主板华硕z690-p d4,cpu是13700k。
超频4100参数设置
32g x 2,跑ddr4 4100, 参数如下:
BCLK Frequency : DRAM Frequency Ratio [100:100]
Memory Controller : DRAM Frequency Ratio [1:1]
DRAM Frequency [DDR4-4100MHz]
......
CPU System Agent Voltage: Manual Mode
- CPU System Agent Voltage Override: 1.400
DRAM Voltage[1.3750]
IVR Transmitter VDDQ Voltage: 1.43
DRAM Timing Control:
DRAM CAS# Latency [18]
DRAM RAS# to CAS# Delay [22]
DRAM RAS# PRE Time [22]
DRAM RAS# ACT Time [42]
DRAM Command Rate [2N]
DRAM RAS# to RAS# Delay L [9]
DRAM RAS# to RAS# Delay S [7]
DRAM REF Cycle Time [631]
DRAM REF Cycle Time 2 [469]
DRAM REF Cycle Time 4 [289]
DRAM Refresh Interval [65535]
DRAM WRITE Recovery Time [12]
DRAM READ to PRE Time [12]
DRAM FOUR ACT WIN Time [38]
DRAM WRITE to READ Delay [6]
DRAM WRITE to READ Delay L [6]
DRAM WRITE to READ Delay S [6]
DRAM CAS to CAS Delay L [8]
DRAM CKE Minimum Pulse Width [6]
DRAM Write Latency [16]
aida64 内存测试结果:
超频4200参数设置
套用海盗船内存的参数之后,(tCL放宽到19,tRCD放宽到23),可以跑ddr4200:
tCL 19
tRCD 23
tRP 23
tRAS 42
CR 2N
tRRD_L 12
tRRD_S 9
tRFC 660
tRFC2 400
tRFC4 250
tREFI 65535
tWR 24
tRTP 12
tFAW 24
tWTR 5
tWTR_L 15
tWTR_S 6
tCCD_L 8
tCKE 12
tWL 20
此时内存电压 1.40v,sa电压 1.20,vddq电压 1.38,测试通过。
aida64 内存测试结果:
备注: 这两条内存后来被用在 q1hy 主板上,因此没有再仔细测试过在 z690 + 13700k 平台上的极限性能和小参优化。
如果有需要,可以参考介绍中的两个作业,理论上可以 4200 c18。
2.3 - q1hy超频设置
主板天邦 q1hy,itx主板,32g x 2。
备注:由于主板限制,内存电压最高只能设置到 1.35v,因此频率和小参都会比在 z690+13700k 平台上低。
超频参数设置
1.35v 跑 ddr4 4000, q1hy 主板 bios 设置内存参数如下:
“Turbo”:
- memory profile: custom profile
- maximum memory frequency: 4000
- memory voltage vddq: 1.35v
- memory reference closk: 100
- gear mode: gear1
“Turbo” -> “memory custom profiles control”:
参数 | 4000 |
---|---|
tCL | 19 |
tRCD/tRP | 23 |
tRAS | 42 |
tCWL | 23 |
tFAW | 16 |
tREFI | 65535 |
tRFC | 660 |
TRRD | 4 |
TRTP | 6 |
TWR | 12 |
TWTR | 0 |
tRFCpb | 0 |
TRFC2 | 400 |
TRFC4 | 250 |
TRRD_L | 8 |
TRRD_S | 4 |
TWTR_L | 10 |
TCCD_L | 8 |
TWTR_S | 4 |
NMODE | 1 |
用 HWiNFO 看到的内存时序为:
性能测试
aida64 内存测试结果:
稳定性测试
TestMem5
TestMem5 过测76分钟没报错:
3 - 阿斯加特32G ddr4 2666内存
3.1 - 内存介绍
从京东自营处买了两对阿斯加特32G内存,频率2666 c18。
https://item.jd.com/10081657664778.html
全称:阿斯加特(Asgard)32GB2666频率DDR4台式机内存条洛极51℃灰
资料介绍
内存信息
内存颗粒信息
thaiphoon-burner 读取到的内存颗粒信息,第一条:
第二条:
第三条:
第四条:
3.2 - 华硕z690-p d4 + i7 13700kf
32gx2 ddr4000 超频设置
可以重用海盗船内存的参数,将 tCL 放宽到 19,tRCD 放宽到23,也可以跑ddr4000,小惊喜。
tCL 19
tRCD 23
tRP 23
tRAS 42
CR 2N
tRRD_L 12
tRRD_S 9
tRFC 660
tRFC2 400
tRFC4 250
tREFI 65535
tWR 24
tRTP 12
tFAW 24
tWTR 5
tWTR_L 15
tWTR_S 6
tCCD_L 8
tCKE 12
tWL 20
4000 c19 时的 aida64 内存测试结果:
此时内存电压 1.40v,sa电压 1.20,vddq 电压 1.38v,测试通过。
32gx4 ddr3600 超频设置
32g x 4 压力大增,跑不了ddr4 4000,只能跑ddr4 3600, 参数可以抄上面的,但主参数可以收紧到 18/22/22/42,如下:
DRAM CAS# Latency [18]
DRAM RAS# to CAS# Delay [22]
DRAM RAS# PRE Time [22]
DRAM RAS# ACT Time [42]
DRAM Command Rate [2N]
DRAM RAS# to RAS# Delay L [12]
DRAM RAS# to RAS# Delay S [9]
DRAM REF Cycle Time [660]
DRAM REF Cycle Time 2 [400]
DRAM REF Cycle Time 4 [250]
DRAM Refresh Interval [65535]
DRAM WRITE Recovery Time [24]
DRAM READ to PRE Time [12]
DRAM FOUR ACT WIN Time [24]
DRAM WRITE to READ Delay [5]
DRAM WRITE to READ Delay L [15]
DRAM WRITE to READ Delay S [6]
DRAM CAS to CAS Delay L [8]
DRAM CKE Minimum Pulse Width [12]
DRAM Write Latency [20]
3600 c18 时的 aida64 内存测试结果:
此时内存电压 1.40v,sa电压 1.20,vddq 电压 1.38v,测试通过。
32gx4 ddr3800 超频设置
TODO: 有时间尝试一下能不能跑3800,参考介绍中的作业。
3.3 - [归档]华硕 pro x299 ws + i7 7960x
备注:x299主板和cpu已经出掉了,换了intel z690 + 13700k。
主板华硕 pro x299 ws ,cpu是 i7 7960x。
32g x 4,跑ddr4 3600, 参数如下:
DRAM CAS# Latency [18]
DRAM RAS# to CAS# Delay [22]
DRAM RAS# PRE Time [22]
DRAM RAS# ACT Time [43]
DRAM Command Rate [Timing 2T]
DRAM REF Cycle Time [1000]
DRAM Voltage(CHA, CHB) [1.3500]
DRAM Voltage(CHC, CHD) [1.3500]
bios设置备份:
备注:这个内存设置在z690上不稳
4 - 英睿达铂胜8G ddr4 3000内存
全称:英睿达铂胜8G,带白色马甲。官方频率3000,一般可以稳定超到 3500 / 4000 / 4200.
购买时让卖家直接修改为 xmp 4000.
参数设置
华硕z690-p d4 + 13700k
8g x 4,跑ddr4 4200, 参数如下:
XMP [XMP DDR4-2667 19-19-19-43-1.20V]
BCLK Frequency : DRAM Frequency Ratio [Auto]
Memory Controller : DRAM Frequency Ratio [1:1]
DRAM Frequency [DDR4-4200MHz]
DRAM CAS# Latency [16]
DRAM RAS# to CAS# Delay [23]
DRAM RAS# PRE Time [23]
DRAM RAS# ACT Time [46]
DRAM Command Rate [2N]
DRAM RAS# to RAS# Delay L [9]
DRAM RAS# to RAS# Delay S [6]
DRAM REF Cycle Time [630]
DRAM REF Cycle Time 2 [630]
DRAM REF Cycle Time 4 [630]
DRAM Refresh Interval [60000]
DRAM WRITE Recovery Time [16]
DRAM READ to PRE Time [12]
DRAM FOUR ACT WIN Time [38]
DRAM WRITE to READ Delay [5]
DRAM WRITE to READ Delay L [12]
DRAM WRITE to READ Delay S [12]
DRAM CAS to CAS Delay L [8]
DRAM CKE Minimum Pulse Width [8]
DRAM Write Latency [18]
DRAM Voltage [1.50000]
bios设置备份:
资料介绍
- TBD